在了（le）解5V单片（piàn）机驱动mos管电路之前（qián），先了解一下单片（piàn）机驱动（dòng）mos管电路图（tú）及原理，单片机（jī）驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西，要只是一个继电器之类的小负（fù）载（zǎi）的（de）话直接用51的引（yǐn）脚驱动就可以，要（yào）注意电感类负载要加（jiā）保护（hù）二极管和（hé）吸（xī）收缓冲，最好（hǎo）用N沟道的MOS。

如（rú）果驱（qū）动（dòng）的东西(功率)很大，(大电流、大电压的场合)，最好要做电气隔离、过流超（chāo）压保（bǎo）护、温度保护等……此时既要隔（gé）离传送控制信号(例如PWM信（xìn）号)，也要给驱动级(MOS管的推（tuī）动电路)传送电能。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等（děng）至于电（diàn）能的传（chuán）送可以用DC-DC模（mó）块。如果是做产品的话建议自（zì）己搞一个建议（yì）的（de）DC-DC，这样（yàng）可（kě）以（yǐ）降（jiàng）低成（chéng）本。然后MOS管有一种简单（dān）的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与（yǔ）PNP一个用于MOS开启驱动，一个用于MOS快速关断。
图（tú）一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。

其中（zhōng）R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越高，R2、R3越大，以保证电阻及三（sān）极管功耗在（zài）允许范（fàn）围，同（tóng）时保证R2和（hé）R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大（dà）于（yú）40V。

补充：图二：适合高频大功率场合，到达100KHz没问题（tí），同时可以（yǐ）并联多个MOSFET-P管（guǎn）

R2、R3需要（yào）满（mǎn）足（zú）和图（tú）一一样（yàng）的条件，其（qí）实（shí）就是图一加了级推挽（wǎn），这样就可以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容（róng）是发射结结电容补偿电容，可以改善三极管高速开关特性。

另（lìng）外：MOSFET的栅（shān）极电容较大，在使用（yòng）的时候应该把它当成一个容抗负载来看。

MOS管驱动电路

在使（shǐ）用MOS管（guǎn）设计开关电源或者马达驱动电路的时（shí）候，大部分人（rén）都会（huì）考虑MOS的导通电阻，最（zuì）大电压等，最大电流等，也（yě）有很多（duō）人仅仅（jǐn）考（kǎo）虑这些因素（sù）。这（zhè）样的电路也（yě）许（xǔ）是可以工作（zuò）的，但并不是优秀的，作为（wéi）正式（shì）的产（chǎn）品设计也是不允许（xǔ）的。

MOS管导通特性

导（dǎo）通的意思（sī）是作为开关，相当于开关闭（bì）合。

NMOS的特性：Vgs大于（yú）一定的值就会（huì）导通，适（shì）合用（yòng）于（yú）源极接地（dì）时的情况（kuàng）(低端驱动)，只（zhī）要栅（shān）极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的（de）特性：Vgs小于一定的值就（jiù）会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端（duān）驱动)。但是（shì），虽然PMOS可以很方便地（dì）用作高端驱（qū）动（dòng），但由（yóu）于导通电阻大，价格贵，替换（huàn）种类少等原因（yīn），在高端驱动中，通常还是（shì）使用NMOS。

MOS开（kāi）关管损失

MOS管驱动电路不管是NMOS还是（shì）PMOS，导通后都有导通电阻存在（zài），这样电流就会在这（zhè）个电（diàn）阻上消耗能量，这部分（fèn）消耗的能量叫做导通损耗。选择（zé）导通电阻小（xiǎo）的（de）MOS管会减小导通损（sǔn）耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定（dìng）不是在瞬间完成的（de）。MOS两（liǎng）端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在（zài）这段时（shí）间（jiān）内（nèi），MOS管的损失是电压和（hé）电流的乘（chéng）积，叫做开关损失。通常（cháng）开关损失比导通损失（shī）大得（dé）多，而且开关频（pín）率越快，损失（shī）也越大。

导通瞬间电压和电流（liú）的乘积很大（dà），造成（chéng）的损失（shī）也就（jiù）很大。缩短开关时（shí）间，可以减小每次导通（tōng）时（shí）的损失;降低开关频（pín）率，可（kě）以减小单位时间内（nèi）的开关（guān）次（cì）数。这（zhè）两种办法（fǎ）都可（kě）以（yǐ）减小开关损失。

MOS管驱（qū）动

跟（gēn）双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通（tōng）不需要电流（liú），只要（yào）GS电（diàn）压高于一定的值，就可以了。这个（gè）很容易做到（dào），但是（shì），我们还（hái）需要速（sù）度。在MOS管的结（jié）构中可以看到（dào），在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容（róng）的充放电。对（duì）电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可（kě）以（yǐ）把电（diàn）容（róng）看成（chéng）短路，所以瞬间电流会比（bǐ）较（jiào）大（dà）。选择/设计MOS管驱动时（shí）第一要注意的是可提（tí）供瞬间短路（lù）电流的大小（xiǎo）。

MOS管驱动（dòng）电路（lù）第二（èr）注（zhù）意的（de）是，普遍用于高端（duān）驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱（qū）动（dòng）的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相（xiàng）同，所以（yǐ）这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果（guǒ）在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专（zhuān）门的升（shēng）压电路（lù）了。很多马达驱动器都集（jí）成了电荷（hé）泵，要注（zhù）意（yì）的是应该（gāi） 选择合适（shì）的外接电容（róng），以得到足够的（de）短路（lù）电流（liú）去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压（yā），设计时（shí）当然需要有一定的（de）余量。而且电压越高，导通速度越快（kuài），导通电阻也越小（xiǎo）。现在也有导通电（diàn）压更小的MOS管用在不同的领域里（lǐ），但在12V汽车电（diàn）子系统里（lǐ），一般4V导通（tōng）就够用了（le）。MOS管的驱（qū）动（dòng）电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详（xiáng）细（xì），所（suǒ）以不打算多（duō）写了。

MOS管应用电路

MOS管最显著的特性（xìng）是开（kāi）关（guān）特性好，所以（yǐ）被广泛应（yīng）用在需要电子开（kāi）关的（de）电路中，常见的（de）如开关（guān）电源和（hé）马达驱动（dòng），也有照明调（diào）光。

二、现在的MOS驱动，有几个特别的应用：

1、低压应用当使用5V电源，由于三极管的be有0.7V左右（yòu）的（de）压（yā）降（jiàng），导致实际最终加在gate上的电压（yā）只有（yǒu）4.3V。这时候，我（wǒ）们选用（yòng）标称（chēng）gate电压4.5V的MOS管就（jiù）存在一（yī）定的风险。同样的（de）问题也发生在（zài）使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用输入电（diàn）压并不是一个固定值（zhí），它会随着时（shí）间或者其他因（yīn）素而变动。这个变动导致PWM电路（lù）提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高（gāo）gate电（diàn）压下安全，很多（duō）MOS管内置（zhì）了稳压（yā）管强（qiáng）行限制gate电压的幅值。在这种情况下（xià），当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引（yǐn）起较大的静态（tài）功耗（hào）。同时，如果简单的（de）用电阻分（fèn）压的原理降低gate电压，就会（huì）出现输（shū）入电压（yā）比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压（yā）降低的时候gate电压不足，引起导通（tōng）不够彻底，从（cóng）而增（zēng）加功耗。

3、双（shuāng）电压应用在一（yī）些（xiē）控制电路中（zhōng），逻辑部分使用典型的5V或（huò）者3.3V数字电压（yā），而（ér）功率部分使用12V甚至更（gèng）高的电压。两个电压采用共地方式连接。MOS管驱动电路（lù）。这就（jiù）提出一个要求，需要使用（yòng）一（yī）个电路（lù），让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同（tóng）样会面对1和2中（zhōng）提到的问题。